Znalezionych wyników: 2965296
[Przetarg Warszawa] PLEASE SCROLL DOWN FOR THE ENGLISH VERSIONPrzedmiotem zamówienia jest „Dostawa dwóch identycznych zaawansowanych systemów...
Terminy
Data publikacji ogłoszenia:
2025-06-10
Termin składania dokumentów:
2025-07-07
Dodaj do kalendarza
PLEASE SCROLL DOWN FOR THE ENGLISH VERSIONPrzedmiotem zamówienia jest „Dostawa dwóch identycznych zaawansowanych systemów szlifowania powierzchni zaprojektowanych specjalnie do szlifowania podłoży półprzewodnikowych, takich jak azotek galu (GaN) i węglik krzemu (SiC).”Zakup dwóch identycznych szlifierek:Wymagania dotyczące specyfikacji szlifierek• Szlifierka zaprojektowana specjalnie do szlifowania wafli półprzewodnikowych, takich jak azotek galu (GaN) i węglik krzemu (SiC).• Szlifierka jednowrzecionowa do obróbki wafli pojedynczo• Możliwość obróbki wafli o średnicy od 25 mm do 150 mm• Możliwość użycia tarcz szlifierskich od dowolnego dostawcyWYMIARY SZLIFIERKI:• Powierzchnia podstawy: mniej niż: 1,5 m (szer.) x 2,2 m (gł.) x 2,5 m (wys.)• Waga: mniej niż: 5 tonPLATFORMA SZLIFUJĄCA:• Sztywność wrzeciona: co najmniej 1 µm/500 N• Moment znamionowy: >22 Nm• Regulacja nachylenia tarczy szlifierskiej w osi Z z 3-punktowym podparciem• Prędkość posuwu : 5 mm/s• Cięcie: 0,01–(10,0) μm/s• Rozdzielczość dla osi Z: 0,01 μmPOMIAR GRUBOŚCI WAFERA:• Funkcja pomiaru grubości elementu obrabianego w czasie rzeczywistymSTÓŁ ROBOCZY:• Prędkość obrotowa: minimum 300 obr./min• Obsługiwane rozmiary elementów obrabianych, dostępne stoły robocze:Ø 25,4 mmØ 49 mmØ 50,8 mmØ 101,6 mm• Materiał porowaty: ceramikaTARCZA SZLIFIERSKA:• Średnica tarczy szlifierskiej: od 200 mm do 300 mm• Prędkość obrotowa tarczy: minimum 2500 obr./min• Wymagana regulacja nachylenia tarczy szlifierskiej: Jednostka osi Z (kolumna) z 3-punktowym podparciem• Możliwość regulacji nachylenia stołu• Powtarzalność: 0,5 µm Szczegółowy opis przedmiotu zamówienia znajduje się punkcie 3 SWZENGLISH VERSION The subject of the order is the " Delivery of two identical advanced surface grinding systems designed specifically for grinding semiconductor substrates such as gallium nitride (GaN) and silicon carbide (SiC).”Purchase of two identical grinders:Requirements for grinder specifications• Grinder designed specifically for grinding of compound semiconductor wafers such as gallium nitride (GaN) and silicon carbide (SiC) • Single spindle grinder to process wafers one at a time• Capable to process wafer diameters from 25mm up to 150mm• Capable to use grind wheel from any major supplierFOOTPRINT: • Footprint Less than 1,5m (W) x 2,2m (D) x 2.5m (H) • Weight: Less than 5 tons GRIND PLATFORM:• Spindle rigidity at least 1µm/500N • Rated torque: >22Nm• Grind wheel tilt adjustable in z-axis w/ 3-point support • Speed Movement 5mm/sec • Cutting 0.01–(10.0)μm/sec• Resolution capability for the Z axis 0.01μmWAFER THICKNESS MEASUREMENT: • real time workpiece thickness measurement functionWORK-TABLE: • Table rotation Speed: min.
PLEASE SCROLL DOWN FOR THE ENGLISH VERSIONPrzedmiotem zamówienia jest „Dostawa dwóch identycznych zaawansowanych systemów szlifowania powierzchni zaprojektowanych specjalnie do szlifowania podłoży półprzewodnikowych, takich jak azotek galu (GaN) i węglik...
2025-07-07 00:00
2025-07-07 00:00
Europe/Warsaw
https://www.portalzp.pl/przetargi/please-scroll-down-for-the-english-versionprzedmiotem-zamowienia-jest-dostawa-dwoch-identycznych-zaawansowanych-systemow-szlifowania-powierzchni-zaprojektowanych-specjalnie-do-szlifowania-podlozy-11317040?sT=774ee0a6334417d6f5e03b5d00dafae56d7056da
Dodaj do kalendarza
PLEASE SCROLL DOWN FOR THE ENGLISH VERSIONPrzedmiotem zamówienia jest „Dostawa dwóch identycznych zaawansowanych systemów szlifowania powierzchni zaprojektowanych specjalnie do szlifowania podłoży półprzewodnikowych, takich jak azotek galu (GaN) i węglik krzemu (SiC).”Zakup dwóch identycznych szlifierek:Wymagania dotyczące specyfikacji szlifierek• Szlifierka zaprojektowana specjalnie do szlifowania wafli półprzewodnikowych, takich jak azotek galu (GaN) i węglik krzemu (SiC).• Szlifierka jednowrzecionowa do obróbki wafli pojedynczo• Możliwość obróbki wafli o średnicy od 25 mm do 150 mm• Możliwość użycia tarcz szlifierskich od dowolnego dostawcyWYMIARY SZLIFIERKI:• Powierzchnia podstawy: mniej niż: 1,5 m (szer.) x 2,2 m (gł.) x 2,5 m (wys.)• Waga: mniej niż: 5 tonPLATFORMA SZLIFUJĄCA:• Sztywność wrzeciona: co najmniej 1 µm/500 N• Moment znamionowy: >22 Nm• Regulacja nachylenia tarczy szlifierskiej w osi Z z 3-punktowym podparciem• Prędkość posuwu : 5 mm/s• Cięcie: 0,01–(10,0) μm/s• Rozdzielczość dla osi Z: 0,01 μmPOMIAR GRUBOŚCI WAFERA:• Funkcja pomiaru grubości elementu obrabianego w czasie rzeczywistymSTÓŁ ROBOCZY:• Prędkość obrotowa: minimum 300 obr./min• Obsługiwane rozmiary elementów obrabianych, dostępne stoły robocze:Ø 25,4 mmØ 49 mmØ 50,8 mmØ 101,6 mm• Materiał porowaty: ceramikaTARCZA SZLIFIERSKA:• Średnica tarczy szlifierskiej: od 200 mm do 300 mm• Prędkość obrotowa tarczy: minimum 2500 obr./min• Wymagana regulacja nachylenia tarczy szlifierskiej: Jednostka osi Z (kolumna) z 3-punktowym podparciem• Możliwość regulacji nachylenia stołu• Powtarzalność: 0,5 µm Szczegółowy opis przedmiotu zamówienia znajduje się punkcie 3 SWZENGLISH VERSION The subject of the order is the " Delivery of two identical advanced surface grinding systems designed specifically for grinding semiconductor substrates such as gallium nitride (GaN) and silicon carbide (SiC).”Purchase of two identical grinders:Requirements for grinder specifications• Grinder designed specifically for grinding of compound semiconductor wafers such as gallium nitride (GaN) and silicon carbide (SiC) • Single spindle grinder to process wafers one at a time• Capable to process wafer diameters from 25mm up to 150mm• Capable to use grind wheel from any major supplierFOOTPRINT: • Footprint Less than 1,5m (W) x 2,2m (D) x 2.5m (H) • Weight: Less than 5 tons GRIND PLATFORM:• Spindle rigidity at least 1µm/500N • Rated torque: >22Nm• Grind wheel tilt adjustable in z-axis w/ 3-point support • Speed Movement 5mm/sec • Cutting 0.01–(10.0)μm/sec• Resolution capability for the Z axis 0.01μmWAFER THICKNESS MEASUREMENT: • real time workpiece thickness measurement functionWORK-TABLE: • Table rotation Speed: min.
PLEASE SCROLL DOWN FOR THE ENGLISH VERSIONPrzedmiotem zamówienia jest „Dostawa dwóch identycznych zaawansowanych systemów szlifowania powierzchni zaprojektowanych specjalnie do szlifowania podłoży półprzewodnikowych, takich jak azotek galu (GaN) i węglik...
2025-07-07 00:00
2025-07-07 00:00
Europe/Warsaw
https://www.portalzp.pl/przetargi/please-scroll-down-for-the-english-versionprzedmiotem-zamowienia-jest-dostawa-dwoch-identycznych-zaawansowanych-systemow-szlifowania-powierzchni-zaprojektowanych-specjalnie-do-szlifowania-podlozy-11317040?sT=774ee0a6334417d6f5e03b5d00dafae56d7056da
(pozostało 4 dni)
Termin realizacji zlecenia:
Data początkowa: 2025-07-25 Data zakończenia trwania: 2026-06-15
Informacje o zamawiającym
Organizator:
INSTYTUT WYSOKICH CIŚNIEŃ POLSKIEJ AKADEMII NAUK W WARSZAWIE
NIP:
5272445658
Województwo:
mazowieckie
Powiat:
Warszawa
Miejscowość:
WARSZAWA
Adres:
01-142 WARSZAWA, SOKOŁOWSKA 29/37
Informacje o przetargu
Rodzaj:
dostawy
Branża:
Maszyny, sprzęt, urządzenia, narzędzia
Podbranża:
maszyny przemysłowe
Tryb przetargu:
przetarg nieograniczony
Województwo realizacji:
mazowieckie
Rodzaj postępowania:
TED
przetarg nieograniczonyŹródło:
TED
Nie jesteś jeszcze użytkownikiem Portalu ZP?
Już teraz zamów pełny dostęp i korzystaj z:
- codziennie aktualizowanej bazy ponad 650 000 przetargów
- nowych ogłoszeń z każdej branży i każdego regionu
- ogłoszeń o przetargach publicznych BZP, TED oraz zleceń
- specyfikacji istotnych warunków zamówienia przy każdym ogłoszeniu z BZP
